SAMSUNG - 990 EVO Plus - SSD Interne - 1 To - NVMe M.2 PCIe 4.0x4 - Vitesse l...
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SAMSUNG - 990 EVO Plus - SSD Interne - 1 To - NVMe M.2 PCIe 4.0x4 - Vitesse lecture jusqu'a 7 250 Mo/s - Le 990 EVO Plus atteint des vitesses de lecture et d'écriture fulgurantes de 7 150 Mo/s et 6 300 Mo/s grâce a la derniere NAND, ce qui améliore les performances de 45 % par rapport au modele précédent. Avec le contrôleur en nickel, le 990 EVO Plus est 73 % plus économe en énergie par watt. Exploitez toute la puissance de votre SSD grâce a la technologie Intelligent TurboWrite 2.0. - Catégories composant - piece detachee - disque dur ssd - Dimensions colis 15x10x2cm 0,08kg (Prix affiché incluant une ecotaxe de 0,02€)
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Neuf
Samsung Electronics
Samsung Electronics, PO Box 12987, Dublin. IE
contact : www.samsung.com
- Nom Opérateur UE
- Samsung Electronics
- Adresse Opérateur UE
- Samsung Electronics, PO Box 12987, Dublin. IE
- Contact Opérateur UE
- contact : www.samsung.com
- Système|Capacité du disque dur
- 1 To
- Choix 3
- -
- Format
- M.2 2280
- Choix 2
- -
- Fabricant - Adresse électronique
- https://www.samsung.com/fr
- Taille de la mémoire tampon
- 1 To
- Hauteur
- 2,38 mm
- Logiciel(s) inclus
- Samsung Magician Software
- Poids
- 9g
- Ecriture aléatoire 4 Ko maximum
- 1350K IOPS
- Service et maintenance
- Garantie limitée - 5 ans
- Service et maintenance|Type
- Garantie de 5 ans
- Interfaces
- PCIe® 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe™ 2.0*
- Débit de transfert interne
- 7150 Mo/s (lecture) / 6300 Mo/s (écriture)
- Interface
- PCIe® 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe™ 2.0*
- Baie compatible
- M.2 2280
- Largeur
- 22,15 mm
- Profondeur
- 80,15 mm
- Opérateur économique responsable de la sécurité du produit vendu par le vendeur
- Nom : Samsung Electronics | Adresse postale : Samsung Electronics, PO Box 12987, Dublin. IE | Adresse électronique : contact : www.samsung.com
- Choix 1
- 1 To
- Type de Produit
- SSD Interne - SAMSUNG - 990 EVO Plus 1 To - NVMe M.2 PCIe 4.0x4 - Vitesse lecture jusqu'à 7 150 Mo/s
- Disque dur|Format
- M.2 2280
- Type de périphérique
- Lecteur à semi-conducteurs - interne
- Fabricant - Adresse postale
- OVALIE - CS 2003 - 6 RUE Fructidor 93484 ST OUEN Cedex - France
- Caractéristiques
- Le 990 EVO Plus est un SSD de haute performance conçu pour améliorer les performances quotidiennes. Il offre des vitesses de lecture séquentielle allant jusqu'à 7 150 Mo/s et des vitesses d'écriture séquentielle jusqu'à 6 300 Mo/s1. Grâce à la dernière te
- Stockage|Type
- Lecteur à semi-conducteurs
- Disque dur|Format (système métrique)
- M.2 2280
- En-tête|Quantité emballée
- 1
- Couleur principale
- Noir
- En-tête|Marque
- Samsung
- En-tête|Fabricant
- Samsung
- Disque dur|Type de disque dur
- Disque dur interne
- Capacité
- 1 To
- Disque dur|Interface
- PCI Express 4.0 x4 (NVMe)
- Divers|Catégorie de couleur
- Noir
- Fabricant - Nom et raison sociale
- SAMSUNG ELECTRONICS FRANCE
- Lecture aléatoire maximale 4 ko
- 850K IOPS
- Disque dur|Format (petit) (système métrique)
- M.2
- Marque
- SAMSUNG
- Disque dur|Capacité
- 1 To
- Disque dur|Format (Court)
- M.2
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- Nom Opérateur UE
- Samsung Electronics
- Adresse Opérateur UE
- Samsung Electronics, PO Box 12987, Dublin. IE
- Contact Opérateur UE
- contact : www.samsung.com
- Système|Capacité du disque dur
- 1 To
- Choix 3
- -
- Format
- M.2 2280
- Choix 2
- -
- Fabricant - Adresse électronique
- https://www.samsung.com/fr
- Taille de la mémoire tampon
- 1 To
- Hauteur
- 2,38 mm
- Logiciel(s) inclus
- Samsung Magician Software
- Poids
- 9g
- Ecriture aléatoire 4 Ko maximum
- 1350K IOPS
- Service et maintenance
- Garantie limitée - 5 ans
- Service et maintenance|Type
- Garantie de 5 ans
- Interfaces
- PCIe® 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe™ 2.0*
- Débit de transfert interne
- 7150 Mo/s (lecture) / 6300 Mo/s (écriture)
- Interface
- PCIe® 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe™ 2.0*
- Baie compatible
- M.2 2280
- Largeur
- 22,15 mm
- Profondeur
- 80,15 mm
- Opérateur économique responsable de la sécurité du produit vendu par le vendeur
- Nom : Samsung Electronics | Adresse postale : Samsung Electronics, PO Box 12987, Dublin. IE | Adresse électronique : contact : www.samsung.com
- Choix 1
- 1 To
- Type de Produit
- SSD Interne - SAMSUNG - 990 EVO Plus 1 To - NVMe M.2 PCIe 4.0x4 - Vitesse lecture jusqu'à 7 150 Mo/s
- Disque dur|Format
- M.2 2280
- Type de périphérique
- Lecteur à semi-conducteurs - interne
- Fabricant - Adresse postale
- OVALIE - CS 2003 - 6 RUE Fructidor 93484 ST OUEN Cedex - France
- Caractéristiques
- Le 990 EVO Plus est un SSD de haute performance conçu pour améliorer les performances quotidiennes. Il offre des vitesses de lecture séquentielle allant jusqu'à 7 150 Mo/s et des vitesses d'écriture séquentielle jusqu'à 6 300 Mo/s1. Grâce à la dernière te
- Stockage|Type
- Lecteur à semi-conducteurs
- Disque dur|Format (système métrique)
- M.2 2280
- En-tête|Quantité emballée
- 1
- Couleur principale
- Noir
- En-tête|Marque
- Samsung
- En-tête|Fabricant
- Samsung
- Disque dur|Type de disque dur
- Disque dur interne
- Capacité
- 1 To
- Disque dur|Interface
- PCI Express 4.0 x4 (NVMe)
- Divers|Catégorie de couleur
- Noir
- Fabricant - Nom et raison sociale
- SAMSUNG ELECTRONICS FRANCE
- Lecture aléatoire maximale 4 ko
- 850K IOPS
- Disque dur|Format (petit) (système métrique)
- M.2
- Marque
- SAMSUNG
- Disque dur|Capacité
- 1 To
- Disque dur|Format (Court)
- M.2
- Largeur
- 80,2 mm
- Profondeur
- 2,38 mm
- Hauteur
- 80,2 mm
- Poids
- 9 g
- Largeur du colis
- 145 mm
- Profondeur du colis
- 100 mm
- Hauteur du colis
- 24 mm
- Poids du paquet
- 68 g
- Température d'opération
- 0 - 70 °C
- Interface
- PCI Express 4.0
- composant pour
- PC
- Facteur de forme SSD
- M.2
- Capacité du Solid State Drive (SSD)
- 1 To
- NVMe
- Oui
- Type de mémoire
- V-NAND TLC
- Vitesse de lecture
- 7150 Mo/s
- Vitesse d'écriture
- 6300 Mo/s
- Temps moyen entre pannes
- 1500000 h
- Consommation électrique (Ecriture)
- 4,2 W
- Consommation électrique (idle)
- 0,06 W
- Le chiffrement matériel
- Oui
- Version NVMe
- 2.0
- Algorithme de sécurité soutenu
- 256-bit AES
- Taille du SSD M.2
- 2280 (22 x 80 mm)
- Lecture aléatoire (4KB)
- 850000 IOPS
- Écriture aléatoire (4KB)
- 1350000 IOPS
- Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif)
- Oui
- Support S.M.A.R.T.
- Oui
- Support TRIM
- Oui
- Tension de fonctionnement
- 3,3 V
- Consommation électrique (Lecture)
- 4,3 W
- Consommation électrique moyenne (lecture)
- 4,3 W
- Consommation électrique moyenne (écriture)
- 4,2 W
- Consommation électrique DevSlp (mode veille)
- 5 mW
- Choc durant le fonctionnement
- 1500 G